LIST SHUNPEI YAMAZAKI PATENTS/CREATIONS:

LIST SHUNPEI YAMAZAKI PATENTS/CREATIONS:

1. Dispositivo de memória não volátil com porta flutuante de silício (base da Memória Flash)

2. Estrutura de transistor com eletrodo de porta autoalinhado (Self-Aligned Gate FET)

3. Método de deposição de nitreto de silício assistido por catalisadores

4. Estrutura de memória não volátil utilizando clusters de silício no isolante da porta

 5. Célula de memória estática (SRAM) com transistores de película fina

 6. Dispositivo de memória RAM dinâmica (DRAM) de baixo consumo elétrico

 7. Método de fabricação de transistores de efeito de campo (FET) tipo MOS LSI

 8. Estrutura de isolamento de trincheira para circuitos integrados de alta densidade

 9. Processo de dopagem iônica para ativação de impurezas em semicondutores

 10. Semicondutor amorfo hidrogenado para aplicação em células solares

 11. Película fina de silício policristalino dopado com boro

 12. Transistor de filme fino (TFT) com canal de silício microcristalino

 13. Método de recozimento térmico rápido para ativação de dopantes

 14. Processo de oxidação térmica de alta pressão para substratos de silício

 15. Estrutura de contato ôhmico para transistores de película fina

 16. Transistor contendo película de óxido semicondutor alinhado no eixo C (CAAC-OS)

 17. Semicondutor de óxido de Índio-Gálio-Zinco cristalino (CAAC-IGZO)

 18. Transistor de película fina com corrente de fuga em estado desligado na escala de Yoctuamperes (10^{-24} A)

 19. Óxido semicondutor nanocristalino (NC-OS) para canais de alta mobilidade

 20. Óxido semicondutor amorfo com distribuição controlada de oxigênio

 21. Método de tratamento térmico em atmosfera de oxigênio para reduzir vacâncias em óxidos

 22. Estrutura de transistor de óxido com camada de barreira contra hidrogênio

 23. Transistor de efeito de campo com canal de óxido semicondutor multicomponente

 24. Método de deposição por pulverização catódica (sputtering) de filmes IGZO

 25. Transistor com canal de óxido de Índio-Estanho-Zinco (ITZO)

 26. Processo de fabricação de transistores com óxido semicondutor de cristal em nuvem (CAC-OS)

 27. Estrutura de transistores de óxido empilhados em 3D

 28. Método para modificação de filme isolante de porta usando micro-ondas e argônio

 29. Transistor com óxido semicondutor dopado com tungstênio para estabilidade térmica

 30. Estrutura de transistores gate-all-around (GAA) com canal de óxido cristalino

 31. Isolante de porta contendo excesso de oxigênio para fornecimento ao canal de óxido

 32. Processo de passivação de transistores de óxido com nitreto de alumínio

 33. Transistor de película fina com eletrodos de óxido de índio-estanho (ITO) otimizados

 34. Método de redução de impurezas de hidrogênio e água em filmes de óxido semicondutor

 35. Estrutura de proteção catódica para alvos de pulverização de óxidos metálicos

 36. Dispositivo de exibição eletroluminescente orgânico (OLED) de alta definição

 37. Tela OLED com estrutura de microcavidade óptica para pureza de cor

 38. Painel de exibição flexível com substrato de plástico e camada de barreira à umidade

 39. Tela de cristal líquido (LCD) com acionamento por transistores de óxido cristalino

 40. Painel OLED com emissão superior (Top-Emission) de alta abertura

 41. Tela eletroluminescente com camadas orgânicas empilhadas (Tandem OLED)

 42. Dispositivo de exibição de matriz ativa com pixels retroalimentados

 43. Tela LCD com tecnologia de chaveamento de plano de franja (FFS) de baixo consumo

 44. Painel de exibição com sensor de toque óptico integrado no pixel

 45. Tela OLED emissora de luz branca com filtros de cor integrados

 46. Estrutura de vedação com frita de vidro para painéis OLED contra oxigênio

 47. Tela com taxa de atualização variável baseada na baixa corrente de fuga do transistor

 48. Painel de exibição dobrável com eixo de dobra reforçado e transistores flexíveis

 49. Tela OLED com eletrodo refletor otimizado por comprimento de onda

 50. Dispositivo de exibição com circuito de driver periférico integrado no próprio vidro

 51. Tela transparente utilizando transistores e eletrodos de óxidos condutores

 52. Pixel de tela OLED com circuito de compensação de limiar de tensão (Vth)

 53. Painel de exibição automotivo curvo com matriz de transistores de alta confiabilidade

 54. Tela com tecnologia de atenuação local de luz (Local Dimming) via transistores rápidos

 55. Dispositivo emissor de luz com camada de transporte de elétrons modificada por óxido

 56. Unidade Central de Processamento (CPU) baseada em transistores de óxido semicondutor

 57. Circuito integrado com memória de acesso aleatório não volátil baseada em IGZO (NOSRAM)

 58. Processador com retenção de dados em estado de suspensão zero-power

 59. Circuito lógico configurável (FPGA) com células de memória de óxido cristalino

 60. Conversor Analógico-Digital (ADC) de ultra-baixo consumo para sensores IoT

 61. Circuito acelerador de inteligência artificial (Redes Neurais) integrado com IGZO-FET

 62. Memória cache em chip empilhada verticalmente sobre lógica de silício

 63. Circuito de gerenciamento de energia com transistores de alta tensão de isolamento

 64. Sensor de imagem CMOS com transistores de óxido para amostragem global rápida

 65. Circuito integrado híbrido Silício-Óxido Semicondutor (Si/OS LSI)

 66. Elemento inversor de lógica complementar usando transistores de óxido e silício

 67. Registro de deslocamento integrado para matrizes de varredura de displays

 68. Amplificador operacional de baixo ruído com transistores purificados

 69. Circuito oscilador de anel para medição de mobilidade de portadores em óxidos

 70. Arquitetura de computação em memória (In-Memory Computing) usando células IGZO

### V. Energia Solar, Baterias e Outras Tecnologias

 71. Célula solar de película fina de silício amorfo com junção p-i-n

 72. Módulo solar tandem de silício amorfo/silício microcristalino

 73. Célula fotovoltaica com eletrodo texturizado para aprisionamento de luz

 74. Método de fabricação de silício por deposição química de vapor assistida por plasma (PECVD)

 75. Eletrodo positivo para baterias de íon-lítio secundárias baseado em óxidos metálicos

 76. Material ativo de descarga composto por fosfato de ferro-lítio dopado

 77. Bateria de película fina de estado sólido integrada em circuitos flexíveis

 78. Reator de fusão nuclear eletroquímica a baixa temperatura (pesquisas de fusão fria)

 79. Método de produção de hidrogênio e oxigênio por célula eletrolítica otimizada

 80. Catodo para reações eletroquímicas com liga de oclusão de hidrogênio

 81. Película fina de carbono tipo diamante (DLC) para proteção mecânica de dispositivos

 82. Sensor de gás baseado na mudança de condutividade de óxidos semicondutores

 83. Dispositivo de memória óptica apagável por laser

 84. Dispositivo semicondutor para blindagem de radiação eletromagnética

 85. Substrato de vidro de silicato de alumínio com expansão térmica controlada

 86. Processo de gravação por plasma seco (Dry Etching) para canais de transistores subgrométricos

 87. Sensor térmico infravermelho de matriz ativa

 88. Dispositivo piezoelétrico de película fina para microgeradores de energia

 89. Camada de passivação de óxido de alumínio depositada por ALD (Deposição de Camada Atômica)

 90. Sistema de retroiluminação LED inteligente para economia de energia em telas

 91. Transistor de potência com alta tensão de ruptura baseado em óxido de gálio

 92. Método de purificação de alvos de pulverização para eliminação de traços de cobre

 93. Circuito de identificação por radiofrequência (RFID) flexível e sem bateria

 94. Dispositivo de exibição eletrocrômico para janelas inteligentes

95. Memória RAM resistiva (ReRAM) baseada em transições de fase de óxidos

96. Estrutura de barramento multicamada com baixa resistência dielétrica (Low-k)

97. Método de planarização mecânico-química (CMP) para superfícies de óxidos cristalinos

98. Dispositivo sensor de pressão de alta sensibilidade para telas adaptativas

99. Semicondutor orgânico emissor de luz dopado com complexos de irídio

100. Circuito eletrônico integrado em papel sintético utilizando impressão de óxidos

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